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IXFV14N80PS	文件：232.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH14N80	文件：372.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •DrainCurrentID=14A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotva	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH14N80	文件：80.97 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET MegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackage •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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IXFV14N80PS

文件：232.16 Kbytes

Page：5 Pages

PolarHVHiPerFETPowerMOSFET

PolarHV™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXTH14N80

文件：372.33 Kbytes

Page：2 Pages

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •DrainCurrentID=14A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotva

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IXTH14N80

文件：80.97 Kbytes

Page：4 Pages

MegaMOSFET

MegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackage •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

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详细参数

型号：
IXFT14N80P
功能描述：
MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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