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IXFH12N80P中文资料IXYS数据手册PDF规格书

IXFH12N80P
厂商型号

IXFH12N80P

功能描述

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

文件大小

176.36 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:40:00

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IXFH12N80P规格书详情

N-Channel Enhancement Mode

特性 Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

产品属性

  • 型号:

    IXFH12N80P

  • 功能描述:

    MOSFET DIODE Id12 BVdass800

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/LITTELFUSE
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