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IXFH12N100P中文资料PDF规格书

IXFH12N100P
厂商型号

IXFH12N100P

功能描述

Polar HiPerFET Power MOSFETs

文件大小

181.15 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-16 18:31:00

IXFH12N100P规格书详情

PolarTM HiPerFET™ Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

Features

• Low RDS(on) and QG

• Avalanche Rated

• Low Package Inductance

• Fast Intrinsic Rectifier

Advantages

• High Power Density

• Easy to Mount

• Space Savings

Applications

• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

• DC-DC Converters

• Laser Drivers

• AC and DC Motor Drives

• Robotics and Servo Controls

产品属性

  • 型号:

    IXFH12N100P

  • 功能描述:

    MOSFET 12 Amps 1000V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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