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ADR430ARZ	文件：868.03 Kbytes Page：24 Pages	UltralowNoiseXFETVoltageReferenceswithCurrentSinkandSourceCapability GENERALDESCRIPTION TheADR43xseriesisafamilyofXFETvoltagereferencesfeaturinglownoise,highaccuracy,andlowtemperaturedriftperformance.UsingADI’spatentedtemperaturedriftcurvaturecorrectionandXFET(eXtraimplantedjunctionFET)technology,theADR43x’svoltagechangever	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR430B	文件：868.03 Kbytes Page：24 Pages	UltralowNoiseXFETVoltageReferenceswithCurrentSinkandSourceCapability GENERALDESCRIPTION TheADR43xseriesisafamilyofXFETvoltagereferencesfeaturinglownoise,highaccuracy,andlowtemperaturedriftperformance.UsingADI’spatentedtemperaturedriftcurvaturecorrectionandXFET(eXtraimplantedjunctionFET)technology,theADR43x’svoltagechangever	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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ADR430BR	文件：868.03 Kbytes Page：24 Pages	UltralowNoiseXFETVoltageReferenceswithCurrentSinkandSourceCapability GENERALDESCRIPTION TheADR43xseriesisafamilyofXFETvoltagereferencesfeaturinglownoise,highaccuracy,andlowtemperaturedriftperformance.UsingADI’spatentedtemperaturedriftcurvaturecorrectionandXFET(eXtraimplantedjunctionFET)technology,theADR43x’svoltagechangever	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR430BRZ	文件：868.03 Kbytes Page：24 Pages	UltralowNoiseXFETVoltageReferenceswithCurrentSinkandSourceCapability GENERALDESCRIPTION TheADR43xseriesisafamilyofXFETvoltagereferencesfeaturinglownoise,highaccuracy,andlowtemperaturedriftperformance.UsingADI’spatentedtemperaturedriftcurvaturecorrectionandXFET(eXtraimplantedjunctionFET)technology,theADR43x’svoltagechangever	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR430BRZ	文件：1.58821 Mbytes Page：24 Pages	UltralowNoiseXFETVoltageReferenceswithCurrentSinkandSourceCapability GENERALDESCRIPTION TheADR43xseriesisafamilyofXFETvoltagereferencesfeaturinglownoise,highaccuracy,andlowtemperaturedriftperformance.UsingADI’spatentedtemperaturedriftcurvaturecorrectionandXFET(eXtraimplantedjunctionFET)technology,theADR43x’svoltagechangever	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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ADUCM430	文件：83.02 Kbytes Page：2 Pages	PrecisionAnalogMicrocontroller,12-BitAnalogInputandOutputwithPMICandTECC,ArmCortex-M3 FEATURES ►Analoginputandoutput ►Multichannel,12-bit,2MSPSADC ►Upto16externalchannels ►Power,VDAC,IDAC,andtemperaturemonitorinternal channels ►Single-endedanddifferentialmode ►0VtoVREFanaloginputrange ►Inputbufferincluded ►Digitalcomparators ►Uptoni	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADUCM430	文件：88.15 Kbytes Page：2 Pages	PrecisionAnalogMicrocontroller,12-BitAnalogInputandOutputwithPMICand FEATURES ►Analoginputandoutput ►Multichannel,12-bit,2MSPSADC ►Upto16externalchannels ►Power,VDAC,IDAC,andtemperaturemonitorinternal channels ►Single-endedanddifferentialmodes ►0VtoVREFanaloginputrange ►Inputbufferincluded ►Digitalcomparators ►Upton	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AF430	文件：343.83 Kbytes Page：4 Pages	TRANZYSTORY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AMA430N	文件：388.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMR430N	文件：340.79 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AOB430	文件：128.25 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB430usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB430isPb-free(meetsROHS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB430	文件：321.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=63mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB430L	文件：128.25 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB430usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB430isPb-free(meetsROHS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB430Y	文件：131.41 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB430YusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB430YisPbfree,insidean	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB430YL	文件：131.41 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB430YusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB430YisPbfree,insidean	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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产品属性

产品编号：
IXDI430YI
制造商：
IXYS
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
30A，30A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
18ns，16ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
供应商器件封装：
TO-263-5
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

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更多IXDI430YI供应商更新时间2024-5-10 15:00:00

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