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IXDI402SIA

2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

General Description The IXDN402/IXDI402/IXDF402 consists of two 2 Amp CMOS high speed MOSFET drivers. Each output can source and sink 2A of peak current while producing voltage rise and fall times of less than 15ns to drive the latest IXYS MOSFETs & IGBTs. The input of the driver is TTL or

文件:308.26 Kbytes 页数:10 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDI402SIA-16

2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

General Description The IXDN402/IXDI402/IXDF402 consists of two 2 Amp CMOS high speed MOSFET drivers. Each output can source and sink 2A of peak current while producing voltage rise and fall times of less than 15ns to drive the latest IXYS MOSFETs & IGBTs. The input of the driver is TTL or

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IXYS

艾赛斯

IXDI402SIA

MOSFET/IGBT Gate Drivers

Littelfuse

力特

IXDI402SIA

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS

艾赛斯

IXDI402SIA-16

MOSFET/IGBT Gate Drivers

Littelfuse

力特

产品属性

  • 产品编号:

    IXDI402SIA

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    8ns,8ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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IXYS
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更多IXDI402SIA供应商 更新时间2026-2-2 18:03:00