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IX6R11S6	文件：1.24805 Mbytes Page：12 Pages	6A Half-Bridge Driver General Description The IX6R11 Bridge Driver for N-channel MOSFETs and IGBTs with a high side and low side output, whose input signals reference the low side. The High Side driver can control a MOSFET or IGBT connected to a positive buss voltage up to 650V. Features • Floating High Side 文件：1.24805 Mbytes 页数：12 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IX6R11S6	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC	IXYS 艾赛斯	IXYS
IX6R11S6T/R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC	IXYS 艾赛斯	IXYS
EV6R11S6	文件：780.01 Kbytes Page：7 Pages	IX6R11 HALF BRIDGE DRIVER Evaluation Board 文件：780.01 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IX6R11S6
制造商：
IXYS
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
6A，6A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
25ns，17ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
18-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC

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更多IX6R11S6供应商更新时间2026-2-1 10:21:00

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