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S-8209B	文件：473.63 Kbytes Page：26 Pages	BATTERYPROTECTIONICWITHCELL-BALANCEFUNCTION	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
SIT8209	文件：667.33 Kbytes Page：7 Pages	HighFrequency,UltraPerformanceOscillator	SITIMESiTime Corp. 赛特时脉美商赛特时脉股份有限公司	SITIME
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STG8209	文件：628.23 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TPC8209	文件：312.48 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSII) LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCApplications ●Smallfootprintduetosmallandthinpackage ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=30mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=10S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8209	文件：1.02571 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SetTopBox •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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