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PBSS4032PT	文件：294.56 Kbytes Page：15 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PT-Q	文件：280.35 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NT-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PX	文件：197.23 Kbytes Page：15 Pages	Generaldescription Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89(SC-62)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NX. Featuresandbenefits ■Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedsw	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4032PX	文件：741 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *Smallerrequired	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PZ	文件：199.4 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4032PZ	文件：733.02 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PZ-Q	文件：303.85 Kbytes Page：14 Pages	30V,4.4APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •Highcollectorcurrentcapab	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032SN	文件：397.91 Kbytes Page：15 Pages	30V,5.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT96-1(SO8)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurrentcapab	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4032SN	文件：1.03696 Mbytes Page：15 Pages	30V,5.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032SP	文件：837.72 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.8APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT96-1(SO8)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurrentcapab	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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