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NTB6411AN	文件：145.63 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,72A,14m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTB6411AN	文件：345.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=77A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NTE6411	文件：18.72 Kbytes Page：2 Pages	BilateralTriggerDiodes(DIACS) Description: TheNTE6407thruNTE6412arebilateraltriggerDIACsofferingarangeofvoltagecharacteristicsfrom28Vto63V.Thesedevicesaretriggeredfromablocking–to–conductionstateforeitherpolarityofappliedvoltagewhenevertheamplitudeofappliedvoltageexceedsthebreakoverv	NTE NTE Electronics	NTE
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详细参数

型号：
ISL6411IR-TK
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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更多ISL6411IR-TK供应商更新时间2025-7-20 11:04:00

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