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MCH6306	文件：53.87 Kbytes Page：4 Pages	MCH6306 General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6306	文件：1.05721 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MG6306WZ	文件：246.38 Kbytes Page：4 Pages	650V20AInsulatedGateBipolarTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MIS6306	文件：486.48 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NAS6306	文件：1.63529 Mbytes Page：4 Pages	NATIONALAEROSPACESTANDARD	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
NX6306	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6306	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6306GH	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NX6306GK	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL

产品属性

产品编号：
ISL6306IRZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > PMIC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器
包装：
卷带（TR）
输出类型：
PWM 信号
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出阶段：
4
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
4.75V ~ 5.25V
频率 - 开关：
80kHz ~ 1MHz
占空比（最大）：
0.667
时钟同步：
无
控制特性：
使能，频率控制，软启动
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
40-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
40-QFN（6x6）
描述：
IC REG CTRLR BUCK 40QFN

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