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LH2101A	文件：85.51 Kbytes Page：3 Pages	DUALHIGHPERFORMANCEOPERATIONALAMPLIFIERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LH2101A	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNELJFET GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES	Intersil Intersil Corporation	Intersil
LH2101AD	文件：85.51 Kbytes Page：3 Pages	DUALHIGHPERFORMANCEOPERATIONALAMPLIFIERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM2101	文件：2.26484 Mbytes Page：33 Pages	LM2101107-V,0.5-A,0.8-AHalf-BridgeDriverwith8-VUVLO 1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration •8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD •107-VabsolutemaximumvoltageonBST •–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH •0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrents •115-nstypicalpropagatio	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM2101DR	文件：2.26484 Mbytes Page：33 Pages	LM2101107-V,0.5-A,0.8-AHalf-BridgeDriverwith8-VUVLO 1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration •8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD •107-VabsolutemaximumvoltageonBST •–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH •0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrents •115-nstypicalpropagatio	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM2101DSGR	文件：2.26484 Mbytes Page：33 Pages	LM2101107-V,0.5-A,0.8-AHalf-BridgeDriverwith8-VUVLO 1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration •8-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD •107-VabsolutemaximumvoltageonBST •–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH •0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrents •115-nstypicalpropagatio	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LPA2101	文件：1.30002 Mbytes Page：18 Pages	BuildinEQFunction12WClass-DAudioAmplifierWithAGCfunction	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半导体微源半导体股份有限公司	POWER
LPC2101	文件：160.87 Kbytes Page：32 Pages	Single-chip16-bit/32-bitmicrocontrollers;8kB/16kB/32kBflashwithISP/IAP,fastportsand10-bitADC Generaldescription TheLPC2101/2102/2103microcontrollersarebasedona16-bit/32-bitARM7TDMI-SCPUwithreal-timeemulationthatcombinesthemicrocontrollerwith8kB,16kBor32kBofembeddedhigh-speedflashmemory.A128-bitwidememoryinterfaceandauniqueacceleratorarchitecture	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
LPC2101	文件：167.87 Kbytes Page：32 Pages	Single-chip16-bit/32-bitmicrocontrollers;8kB/16kB/32kBflashwithISP/IAP,fastportsand10-bitADC	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
LPC2101	文件：203.52 Kbytes Page：37 Pages	Single-chip16-bit/32-bitmicrocontrollers;8kB/16kB/32kBflashwithISP/IAP,fastportsand10-bitADC	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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产品属性

产品编号：
ISL2101AABZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.4V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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