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MAX2101CMQ	文件：217.57 Kbytes Page：24 Pages	6-BitQuadratureDigitizer GeneralDescription TheMAX21016-bitquadraturedigitizercombinesquadraturedemodulationwithanalog-to-digitalconversiononasinglebipolarsilicondie.ThisuniqueRF-to-BitsTMfunctionbridgesthegapbetweenexistingRFdownconvertersandCMOSdigitalsignalprocessors(DSPs). TheMAX21	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
ME2101series	文件：199.377 Kbytes Page：11 Pages		MicrOneNajing Micro One Electronics Inc. 南京微盟南京微盟电子有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	MicrOne
MH2101WZ	文件：234.6 Kbytes Page：3 Pages	650V30AFastRecoveryDiode lFeatures 1)LightPunchThroughType 2)LowForwardVoltage 3)VeryFast&SoftRecovery 4)LowRecoveryLoss lApplication FreeWheeling	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MIC2101	文件：1.53246 Mbytes Page：36 Pages	38V,SynchronousBuckControllersFeaturingAdaptiveOn-TimeControl	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
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MIC2101YML	文件：1.59482 Mbytes Page：37 Pages	38V,SynchronousBuckControllersFeaturingAdaptiveOn-TimeControl	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MIC2101YML	文件：1.53246 Mbytes Page：36 Pages	38V,SynchronousBuckControllersFeaturingAdaptiveOn-TimeControl	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MJE2101	文件：144.93 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS Designedforuseindriverandoutputstagesincomplementaryaudioamplifierapplications. •HighDCCurrentGain- hFE=750(Win)@IC=30and40Adc •TrueThreeLeadMonolithicConstruction—Emitter-BaseResistors toPreventL	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE2101	文件：143.77 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS Designedforuseindriverandoutputstagesincomplementaryaudioamplifierapplications. •HighDCCurrentGain- hFE=750(Win)@IC=30and40Adc •TrueThreeLeadMonolithicConstruction—Emitter-BaseResistors toPreventL	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

产品属性

产品编号：
ISL2101AABZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.4V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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