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LMH2100TM	文件：1.96994 Mbytes Page：32 Pages	50MHzto4GHz40dBLogarithmicPowerDetectorforCDMAandWCDMA	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMH2100TMSLASHNOPB	文件：2.02928 Mbytes Page：49 Pages	50-MHzto4-GHz40-dBLogarithmicPowerDetectorforCDMAandWCDMA	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH2100TMX	文件：1.96994 Mbytes Page：32 Pages	50MHzto4GHz40dBLogarithmicPowerDetectorforCDMAandWCDMA	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LPA2100	文件：1.33201 Mbytes Page：20 Pages	BuildinEQFunction25WClass-DAudioAmplifierWithAGCfunction	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半导体微源半导体股份有限公司	POWER
LPA2100A	文件：1.33201 Mbytes Page：20 Pages	BuildinEQFunction25WClass-DAudioAmplifierWithAGCfunction	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半导体微源半导体股份有限公司	POWER
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产品属性

产品编号：
ISL2100AABZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
3.7V，7.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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