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ISL2111ABZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
ISL2111ARTZ	文件：305.51 Kbytes Page：13 Pages	100V,3A/4APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers TheISL2110,ISL2111are100V,highfrequency,half-bridge N-ChannelpowerMOSFETdriverICs.Theyarebasedon thepopularHIP2100,HIP2101half-bridgedrivers,butoffer severalperformanceimprovements.Peakoutputpull-up/ pull-downcurrenthasbeenincreasedto3A/4A,which significantly	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL2111ARTZ	文件：768.97 Kbytes Page：15 Pages	100V,3A/4APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers 100V,3A/4APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers TheISL2110,ISL2111are100V,highfrequency,half-bridgeN-ChannelpowerMOSFETdriverICs.TheyarebasedonthepopularHIP2100,HIP2101half-bridgedrivers,butofferseveralperformanceimprovements.Peakoutputpull-up/pull-downcurrent	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL2111ARTZ	文件：307.98 Kbytes Page：13 Pages	100V,3A/4APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers 100V,3A/4APeak,HighFrequencyHalf-BridgeDrivers TheISL2110,ISL2111are100V,highfrequency,half-bridgeN-ChannelpowerMOSFETdriverICs.TheyarebasedonthepopularHIP2100,HIP2101half-bridgedrivers,butofferseveralperformanceimprovements.Peakoutputpull-up/pull-downcurrent	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ITA-2111	文件：525 Kbytes Page：2 Pages	Intel®Atom™E38451UFanlessSystem;EN50121-4CompliantforRailwayApplications Features Built-inIntel®Atom™E3845quad-coreprocessor,1.91GHz 4GBofDDR3memoryonboard 1Ufanlessrackmountsystem 4xGbEand10xRS-232/422/485portswithisolationdesign 6xUSB2.0and1xUSB3.0slots 1xVGAand1xDVI-Ddisplayoutputs CompliantwithEN5012	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
KA2111	文件：66.09 Kbytes Page：2 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT TVVIDEOIFLOW-LEVELDETECTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KSR2111	文件：30.54 Kbytes Page：1 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit •BuiltinbiasResistor(R=22KΩ) •ComplementtoKSR1111	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KSV2111	文件：33.17 Kbytes Page：1 Pages	GLASS-LEADEDGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES P/NCAPACITANCE KSV21016.8 KSV21028.2 KSV210310.0 KSV210412.0 KSV210515.0 KSV210618.0 KSV210722.0 KSV210827.0 KSV210933.0 KSV211039.0 KSV211147.0 KSV211256.0 KSV211368.0 KSV211482.0 KSV2115100.0	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
KV2111	文件：100.26 Kbytes Page：2 Pages	VARACTORDIODESMicrowaveHyperabruptJunction DESCRIPTION TheKV2100seriesofmicrowavehyperabruptvaractordiodesoffersoctavetuningthrough8GHz.Highreliabilitypassivatedconstruction,insuresexcellentVCOsettlingtimeandposttuningdriftcharacteristics.AswiththeirUHFcounterparts,straight-linetuningcanbeachievedov	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LH2111	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNELJFET GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES	Intersil Intersil Corporation	Intersil

产品属性

产品编号：
ISL2111ABZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.4V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，4A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
9ns，7.5ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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