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ISL2111ARTZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：10-WDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN	ETC	ETC
ITA-2111	文件：525 Kbytes Page：2 Pages	Intel®Atom™E38451UFanlessSystem;EN50121-4CompliantforRailwayApplications Features Built-inIntel®Atom™E3845quad-coreprocessor,1.91GHz 4GBofDDR3memoryonboard 1Ufanlessrackmountsystem 4xGbEand10xRS-232/422/485portswithisolationdesign 6xUSB2.0and1xUSB3.0slots 1xVGAand1xDVI-Ddisplayoutputs CompliantwithEN5012	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
KA2111	文件：66.09 Kbytes Page：2 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT TVVIDEOIFLOW-LEVELDETECTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KSR2111	文件：30.54 Kbytes Page：1 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit •BuiltinbiasResistor(R=22KΩ) •ComplementtoKSR1111	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KSV2111	文件：33.17 Kbytes Page：1 Pages	GLASS-LEADEDGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES P/NCAPACITANCE KSV21016.8 KSV21028.2 KSV210310.0 KSV210412.0 KSV210515.0 KSV210618.0 KSV210722.0 KSV210827.0 KSV210933.0 KSV211039.0 KSV211147.0 KSV211256.0 KSV211368.0 KSV211482.0 KSV2115100.0	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
KV2111	文件：100.26 Kbytes Page：2 Pages	VARACTORDIODESMicrowaveHyperabruptJunction DESCRIPTION TheKV2100seriesofmicrowavehyperabruptvaractordiodesoffersoctavetuningthrough8GHz.Highreliabilitypassivatedconstruction,insuresexcellentVCOsettlingtimeandposttuningdriftcharacteristics.AswiththeirUHFcounterparts,straight-linetuningcanbeachievedov	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LH2111	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNELJFET GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES	Intersil Intersil Corporation	Intersil
LH2111	文件：53.9 Kbytes Page：6 Pages	DualVoltageComparators	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMUN2111	文件：233.62 Kbytes Page：8 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LWTN-2111	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

产品属性

产品编号：
ISL2111ARTZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.4V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，4A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
9ns，7.5ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-TDFN（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ISL2111ARTZ-T供应商更新时间2025-7-29 14:40:00

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