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IS93C46A-3GR	文件：74.53 Kbytes Page：13 Pages	1,024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM DESCRIPTION The IS93C46A/56A/66A is a low-cost 1kb/2kb/4kb non-volatile, ISSI ® serial EEPROM. It is fabricated using an enhanced CMOS design and process. The IS93C46A/56A/66A contain power efficient read/write memory, and organziation of either 128/256/512 bytes of 8 bits or 64/128/256 word 文件：74.53 Kbytes 页数：13 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS93C46A-3GRI	文件：74.53 Kbytes Page：13 Pages	1,024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM DESCRIPTION The IS93C46A/56A/66A is a low-cost 1kb/2kb/4kb non-volatile, ISSI ® serial EEPROM. It is fabricated using an enhanced CMOS design and process. The IS93C46A/56A/66A contain power efficient read/write memory, and organziation of either 128/256/512 bytes of 8 bits or 64/128/256 word 文件：74.53 Kbytes 页数：13 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS93C46A-3GRL	文件：74.53 Kbytes Page：13 Pages	1,024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM DESCRIPTION The IS93C46A/56A/66A is a low-cost 1kb/2kb/4kb non-volatile, ISSI ® serial EEPROM. It is fabricated using an enhanced CMOS design and process. The IS93C46A/56A/66A contain power efficient read/write memory, and organziation of either 128/256/512 bytes of 8 bits or 64/128/256 word 文件：74.53 Kbytes 页数：13 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS93C46A-3GRLI	文件：74.53 Kbytes Page：13 Pages	1,024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM DESCRIPTION The IS93C46A/56A/66A is a low-cost 1kb/2kb/4kb non-volatile, ISSI ® serial EEPROM. It is fabricated using an enhanced CMOS design and process. The IS93C46A/56A/66A contain power efficient read/write memory, and organziation of either 128/256/512 bytes of 8 bits or 64/128/256 word 文件：74.53 Kbytes 页数：13 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS93C46A-3GR
功能描述：
电可擦除可编程只读存储器 2.5V 1Kb
RoHS：
否
制造商：
Atmel
存储容量：
2 Kbit
组织：
256 B x 8
数据保留：
100 yr
最大时钟频率：
1000 KHz
最大工作电流：
6 uA
工作电源电压：
1.7 V to 5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8

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