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IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

厂商型号 |
IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR |
参数属性 | IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR 封装/外壳为48-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA |
功能描述 | 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 1.7V~1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS |
封装外壳 | 48-TFBGA |
制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution Inc |
中文名称 | 北京矽成 北京矽成半导体有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 11:44:00 |
人工找货 | IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号:
IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
PSRAM
- 技术:
PSRAM(伪 SRAM)
- 存储容量:
32Mb(2M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
70ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFBGA
- 供应商器件封装:
48-TFBGA(6x8)
- 描述:
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TFBGA48(6x8) |
7350 |
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询价 | ||
ISSI |
24+ |
BGA48 |
80000 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
10000 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
4500 |
ISSI存储芯片在售 |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
48-TFBGA6x8 |
7300 |
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询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2447 |
TFBGA-48(6x8) |
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ISSI |
23+ |
BGA |
50000 |
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ISSI |
25+ |
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ISSI |
1725+ |
BGA48 |
6528 |
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ISSI Integrated Silicon Solut |
25+ |
48-TFBGA |
9350 |
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