IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR中文资料静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 1.7V~1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS数据手册ISSI规格书

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厂商型号

IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR

参数属性

IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR 封装/外壳为48-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA

功能描述

静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 1.7V~1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

封装外壳

48-TFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution, Inc

中文名称

矽成半导体 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 15:38:00

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IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 产品编号:

    IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    PSRAM

  • 技术:

    PSRAM(伪 SRAM)

  • 存储容量:

    32Mb(2M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA

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