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IS66WVC4M16EALL数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

IS66WVC4M16EALL

参数属性

IS66WVC4M16EALL 封装/外壳为54-VFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA

功能描述

CellularRAM/Pseudo SRAM

封装外壳

54-VFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution Inc

中文名称

北京矽成 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 13:49:00

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IS66WVC4M16EALL规格书详情

描述 Description

·8Mb,16Mb, 32Mb, and 64Mb densities available
·Asynchronous, Page, and Burst features supported
·Low Power Features
·Industrial and Automotive (-40 to 85°C) Temperature available

技术参数

  • 产品编号:

    IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    PSRAM

  • 技术:

    PSRAM(伪 SRAM)

  • 存储容量:

    64Mb(4M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    54-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    54-VFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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