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IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
| 厂商型号 |
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR |
| 参数属性 | IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR 封装/外壳为54-VFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA |
| 功能描述 | 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v~1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS |
| 封装外壳 | 54-VFBGA |
| 制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution Inc |
| 中文名称 | 北京矽成 北京矽成半导体有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 12:04:00 |
| 人工找货 | IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
PSRAM
- 技术：
PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量：
32Mb（2M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
70ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
54-VFBGA
- 供应商器件封装：
54-VFBGA（6x8）
- 描述：
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
23+ |
VFBGA54 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
24+ |
VFBGA54(6x8) |
7350 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA54 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
54-VFBGA6x8 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2447 |
VFBGA-54(6x8) |
315000 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
4500 |
ISSI存储芯片在售 |
询价 | ||
ISSI |
21+ |
VFBGA/54 |
1532 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA54 |
5300 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
ISSI |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
SMD |
15600 |
静态随机存取存储器32MbPseudo静态随机存取存储器Asyn |
询价 |
