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IRF6601	文件：130.08 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET??PowerMOSFET(Vdss=20V) Description TheIRF6601combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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更多IS6601N供应商更新时间2024-6-15 12:41:00

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