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IRF6601规格书详情
描述 Description
The IRF6601 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80.
● Application Specific MOSFETs
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Low Conduction Losses
● Low Switching Losses
● Low Profile (<0.7 mm)
● Dual Sided Cooling Compatible
● Compatible with exisiting Surface Mount
Techniques
产品属性
- 型号：
IRF6601
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XX |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
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IR |
02+ |
SMD |
1300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
2016+ |
DIRECTFET |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
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IOR |
24+ |
QFN |
2372 |
询价 | |||
IR |
0408 |
122 |
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询价 | |||
IR |
23+ |
QFN |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
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IR |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
DirectFET? 等容 MT |
38550 |
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询价 |
