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IRF6601规格书详情
描述 Description
The IRF6601 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80.
● Application Specific MOSFETs
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Low Conduction Losses
● Low Switching Losses
● Low Profile (<0.7 mm)
● Dual Sided Cooling Compatible
● Compatible with exisiting Surface Mount
Techniques
产品属性
- 型号：
IRF6601
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
XX |
23+ |
XX |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric MT |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
QFN |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
05+ |
原厂原装 |
50051 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IOR |
09+ |
DirectFE |
5500 |
原装无铅,优势热卖 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
询价 | ||
IR |
24+ |
SOP |
5825 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 |
