IS65WV2568FALL规格书原装现货矽成半导体-114ic电子网

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IS65WV2568FALL	文件：757.54 Kbytes Page：16 Pages	256Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 26 mA (max) at 125°C – CMOS Standby Current: 3.0 uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV2568FALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV2568FBLL)  文件：757.54 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS65WV2568FBLL	文件：757.54 Kbytes Page：16 Pages	256Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 26 mA (max) at 125°C – CMOS Standby Current: 3.0 uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV2568FALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV2568FBLL)  文件：757.54 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
65WV2568DALL	文件：493.22 Kbytes Page：14 Pages	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：493.22 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS65WV2568DALL	文件：468.53 Kbytes Page：14 Pages	TTL compatible interface levels 文件：468.53 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS65WV2568DBLL	文件：468.53 Kbytes Page：14 Pages	TTL compatible interface levels 文件：468.53 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

更多IS65WV2568FALL供应商更新时间2026-1-29 9:04:00