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IS65WV51216EFBLL-55B3A3	文件：748.93 Kbytes Page：20 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 35mA (max.) – CMOS standby Current: 5.5uA (typ.)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV51216EFALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV51216EFBLL)  Optional ERR 文件：748.93 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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