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IS64WV12816FALL	文件：642.38 Kbytes Page：19 Pages	128Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 8, 10ns, 12ns  Low Active Current: 35mA (Max., 10ns, I-temp)  Low Standby Current: 10 mA (Max., I-temp)  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV12816FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV12816FBLL)  Three state outputs  Data Control for upper and l 文件：642.38 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV12816FALL-12B2LA3	文件：642.38 Kbytes Page：19 Pages	128Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 8, 10ns, 12ns  Low Active Current: 35mA (Max., 10ns, I-temp)  Low Standby Current: 10 mA (Max., I-temp)  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV12816FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV12816FBLL)  Three state outputs  Data Control for upper and l 文件：642.38 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV12816FALL-12BLA3	文件：642.38 Kbytes Page：19 Pages	128Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 8, 10ns, 12ns  Low Active Current: 35mA (Max., 10ns, I-temp)  Low Standby Current: 10 mA (Max., I-temp)  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV12816FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV12816FBLL)  Three state outputs  Data Control for upper and l 文件：642.38 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV12816FALL-12CTLA3	文件：642.38 Kbytes Page：19 Pages	128Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 8, 10ns, 12ns  Low Active Current: 35mA (Max., 10ns, I-temp)  Low Standby Current: 10 mA (Max., I-temp)  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV12816FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV12816FBLL)  Three state outputs  Data Control for upper and l 文件：642.38 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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