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IS64WV12816DBLL-12BA3	文件：272.47 Kbytes Page：21 Pages	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxx and IS64WV12816DBxx are high-speed, 2,097,152-bit static RAMs organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated usingISSIs high performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-pe 文件：272.47 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS64WV12816DBLL-12BA3供应商更新时间2025-12-3 15:56:00