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IS64WV102416BLL-10TA3	文件：127.6 Kbytes Page：21 Pages	1Mx16HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司

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IS64WV102416BLL-10TA3

文件：127.6 Kbytes

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1Mx16HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

详细参数

型号：
IS64WV102416BLL-10TA3-TR
功能描述：
静态随机存取存储器 16M(1Mx16) 10ns Async 静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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