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IS64WV12816DBLL/DBLS	文件：201.17 Kbytes Page：21 Pages	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM 文件：201.17 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS64WV12816DBLS	文件：272.47 Kbytes Page：21 Pages	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxx and IS64WV12816DBxx are high-speed, 2,097,152-bit static RAMs organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated usingISSIs high performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-pe 文件：272.47 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV12816EDBLL	文件：729.72 Kbytes Page：14 Pages	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC 文件：729.72 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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更多IS64WV12816DBLL/DBLS供应商更新时间2025-10-13 11:51:00