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IS62WV6416ALL-55BLI	文件：111.93 Kbytes Page：17 Pages	64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS62WV6416ALL-55BLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS62WV6416ALL-55BLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS62WV6416ALL-55B	文件：111.93 Kbytes Page：17 Pages	64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
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产品属性

产品编号：
IS62WV6416ALL-55BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 2.2V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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