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IS63LV1024L-12BI	文件：45.6 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT DESCRIPTION The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design t 文件：45.6 Kbytes 页数：9 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS63LV1024L-12BI	文件：614.95 Kbytes Page：18 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT 文件：614.95 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS63LV1024L-12BI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS63LV1024L-12BI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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更多IS63LV1024L-12BI供应商更新时间2025-12-10 16:31:00