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IS63LV1024L-12BI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IS63LV1024L-12BI |
参数属性 | IS63LV1024L-12BI 封装/外壳为36-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA |
功能描述 | 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |
封装外壳 | 36-TFBGA |
文件大小 |
45.6 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企业简称 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名称 | 北京矽成半导体有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 16:59:00 |
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DESCRIPTION
The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices.
FEATURES
• High-speed access times: 8, 10, 12 ns
• High-performance, low-power CMOS process
• Multiple center power and ground pins for greater noise immunity
• Easy memory expansion with CE and OE options
• CEpower-down
• Fully static operation: no clock or refresh required
• TTL compatible inputs and outputs
• Single 3.3V power supply
• Packages available:
– 32-pin 300-mil SOJ
– 32-pin 400-mil SOJ
– 32-pin TSOP (Type II)
– 32-pin STSOP (Type I)
– 36-pin BGA (8mmx10mm)
• Lead-free Available
产品属性
- 产品编号:
IS63LV1024L-12BI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
1Mb(128K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
12ns
- 电压 - 供电:
3.15V ~ 3.45V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
36-TFBGA
- 供应商器件封装:
36-迷你型BGA(8x10)
- 描述:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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