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IS63LV1024L-12BI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

IS63LV1024L-12BI
厂商型号

IS63LV1024L-12BI

参数属性

IS63LV1024L-12BI 封装/外壳为36-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA

功能描述

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

封装外壳

36-TFBGA

文件大小

45.6 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
ISSI
数据手册

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更新时间

2025-8-3 16:59:00

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IS63LV1024L-12BI规格书详情

DESCRIPTION

The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices.

FEATURES

• High-speed access times: 8, 10, 12 ns

• High-performance, low-power CMOS process

• Multiple center power and ground pins for greater noise immunity

• Easy memory expansion with CE and OE options

• CEpower-down

• Fully static operation: no clock or refresh required

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 3.3V power supply

• Packages available:

– 32-pin 300-mil SOJ

– 32-pin 400-mil SOJ

– 32-pin TSOP (Type II)

– 32-pin STSOP (Type I)

– 36-pin BGA (8mmx10mm)

• Lead-free Available

产品属性

  • 产品编号:

    IS63LV1024L-12BI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    12ns

  • 电压 - 供电:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    36-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    36-迷你型BGA(8x10)

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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