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IS62WV5128DBLL	文件：525.36 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：525.36 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS62WV5128DBLL-45HLI	文件：525.36 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：525.36 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS62WV5128DBLL-45T2I	文件：525.36 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：525.36 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128DBLL-45T2LI	文件：525.36 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：525.36 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128DBLL-45TI	文件：525.36 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：525.36 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128DBLL-45TLI	文件：525.36 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：525.36 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS62WV5128DBLL
功能描述：
静态随机存取存储器 4Mb, 2.3v-3.6v, 45ns 512K x 8 Async 静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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