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深圳市拓亿芯电子有限公司

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深圳市恒凯威科技开发有限公司

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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深圳市莱克讯科技有限公司

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深圳市中远芯科技有限公司

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深圳市凌旭科技有限公司

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深圳市川科科技有限公司

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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深圳市拓亿芯电子有限公司

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代理全新原装现货 价格优势

深圳诚思涵科技有限公司

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深圳市威雅利发展有限公司

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深圳市诺美思科技有限公司

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ISSI原厂封装

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深圳市百诺芯科技有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市博中泰实业有限公司

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深圳市斌腾达科技有限公司

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IS62WV5128DBLL-45BLI功能描述:静态随机存取存储器 4Mb, 2.3v-3.6v, 45ns 512K x 8 Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray

IS62WV5128DBLL-45BLI-TR功能描述:静态随机存取存储器 4Mb, 2.3v-3.6v, 45ns 512K x 8 Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray

产品属性

  • 产品编号：

    IS62WV5128DBLL-45BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别：

    集成电路（IC） > 存储器

  • 包装：

    托盘

  • 存储器类型：

    易失

  • 存储器格式：

    SRAM

  • 技术：

    SRAM - 异步

  • 存储容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存储器接口：

    并联

  • 写周期时间 - 字，页：

    45ns

  • 电压 - 供电：

    2.3V ~ 3.6V

  • 工作温度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    36-TFBGA

  • 供应商器件封装：

    36-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

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