IS62WV51216EFBLL集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS62WV51216EFBLL
参数属性	IS62WV51216EFBLL 封装/外壳为48-VFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
功能描述	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM with ECC
封装外壳	48-VFBGA
文件大小	748.93 Kbytes
页面数量	20 页
生产厂商	ISSI
中文名称	矽成半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-11-18 23:00:00
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IS62WV51216EFBLL规格书详情

FEATURES

 High-speed access time: 45ns, 55ns

 CMOS low power operation

– Operating Current: 35mA (max.)

– CMOS standby Current: 5.5uA (typ.)

 TTL compatible interface levels

 Single power supply

–1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV51216EFALL)

– 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV51216EFBLL)

 Optional ERR1/ERR2 pin:

ERR1: indicates 1-bit error detection and

correction.

ERR2: indicates 2-bit error detection

 Three state outputs

 Commercial, Industrial and Automotive

temperature support

 Lead-free available

产品属性

产品编号：
IS62WV51216EFBLL-45BLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
8Mb（512K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
2.2V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商器件封装：
48-VFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA

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