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IS62WV51216EBLL集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS62WV51216EBLL

参数属性

IS62WV51216EBLL 封装/外壳为48-VFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA

功能描述

512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

封装外壳

48-VFBGA

文件大小

1.34683 Mbytes

页面数量

18

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-18 23:00:00

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IS62WV51216EBLL规格书详情

FEATURES

 High-speed access time: 45ns, 55ns

 CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

 TTL compatible interface levels

 Single power supply

–1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL)

– 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)

 Data control for upper and lower bytes

 Automotive temperature (-40oC to +125oC)

产品属性

  • 产品编号:

    IS62WV51216EBLL-45BLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    8Mb(512K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    45ns

  • 电压 - 供电:

    2.2V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-VFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA

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