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IS62WV25616EALL-55TLI	文件：754.78 Kbytes Page：18 Pages	256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EB 文件：754.78 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV25616EALL-55TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV25616EALL-55TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV25616EALL-55BI	文件：754.78 Kbytes Page：18 Pages	256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EB 文件：754.78 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV25616EALL-55BLI	文件：754.78 Kbytes Page：18 Pages	256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EB 文件：754.78 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV25616EALL-55TI	文件：754.78 Kbytes Page：18 Pages	256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EB 文件：754.78 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS62WV25616EALL-55TLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
1.65V ~ 2.2V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

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