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IS62WV25616EALL-55TI	文件：754.78 Kbytes Page：18 Pages	256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EB 文件：754.78 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS62WV25616EALL-55BI	文件：754.78 Kbytes Page：18 Pages	256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EB 文件：754.78 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV25616EALL-55BLI	文件：754.78 Kbytes Page：18 Pages	256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EB 文件：754.78 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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