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IS62WV25616EALL-55BLI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
IS62WV25616EALL-55BLI |
| 参数属性 | IS62WV25616EALL-55BLI 封装/外壳为48-VFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA |
| 功能描述 | 256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 封装外壳 | 48-VFBGA |
| 文件大小 |
754.78 Kbytes |
| 页面数量 |
18 页 |
| 生产厂商 | ISSI |
| 中文名称 | 矽成半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 23:00:00 |
| 人工找货 | IS62WV25616EALL-55BLI价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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IS62WV25616EALL-55BLI规格书详情
FEATURES
High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns
CMOS low power operation
– Operating Current: 22 mA (max) at 85°C
– CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C
TTL compatible interface levels
Single power supply
–1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EALL)
– 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EBLL)
– 3.3V +/-5% VDD (IS62/65WV25616ECLL)
Package : 44-pin TSOP (Type II)
48-pin mini BGA
Commercial, Industrial and Automotive
temperature support
Lead-free available
产品属性
- 产品编号:
IS62WV25616EALL-55BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
4Mb(256K x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
55ns
- 电压 - 供电:
1.65V ~ 2.2V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-VFBGA
- 供应商器件封装:
48-VFBGA(6x8)
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
VFBGA48(6x8) |
7350 |
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询价 | ||
ISSI |
1653+ |
BGA48 |
10 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
4500 |
ISSI存储芯片在售 |
询价 | ||
ISSI Integrated Silicon Soluti |
22+ |
9000 |
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询价 | |||
ISSI, |
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25000 |
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ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
- |
7300 |
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询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
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VFBGA-48(6x8) |
18000 |
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ISSI(美国芯成) |
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VFBGA-48(6x8) |
315000 |
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ISSI |
5 |
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ISSI(美国芯成) |
25+ |
VFBGA-48(6x8) |
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询价 |

