IS62WV25616BLL-55T集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS62WV25616BLL-55T
参数属性	IS62WV25616BLL-55T 封装/外壳为44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
功能描述	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
封装外壳	44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
文件大小	112.06 Kbytes
页面数量	14 页
生产厂商	Integrated Silicon Solution Inc
企业简称	ISSI【北京矽成】
中文名称	北京矽成半导体有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-6-23 23:06:00
人工找货	IS62WV25616BLL-55T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

IS62WV25616BLL-55T规格书详情

DESCRIPTION

TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLL are high speed, low power, 4M bit SRAMs organized as 256K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low power consumption devices.

FEATURES

• High-speed access time: 55ns, 70ns

• CMOS low power operation

36 mW (typical) operating

9 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

1.65V--2.2V VDD (IS62WV25616ALL)

2.5V--3.6V VDD (IS62WV25616BLL)

• Fully static operation: no clock or refresh required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Lead-free available

产品属性

产品编号：
IS62WV25616BLL-55TI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
2.5V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

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