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IS61WV5128EDBLL-10BLI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

IS61WV5128EDBLL-10BLI
厂商型号

IS61WV5128EDBLL-10BLI

参数属性

IS61WV5128EDBLL-10BLI 封装/外壳为36-TFBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

功能描述

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

封装外壳

36-TFBGA

文件大小

446.55 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 10:30:00

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产品属性

  • 产品编号:

    IS61WV5128EDBLL-10BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    36-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    36-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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