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IS61WV5128EDBLL集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS61WV5128EDBLL |
| 参数属性 | IS61WV5128EDBLL 封装/外壳为36-TFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
| 功能描述 | 512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC |
| 封装外壳 | 36-TFBGA |
| 文件大小 |
446.55 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名称 | 北京矽成半导体有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-25 22:59:00 |
| 人工找货 | IS61WV5128EDBLL价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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产品属性
- 产品编号：
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
4Mb（512K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
10ns
- 电压 - 供电：
2.4V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
36-TFBGA
- 供应商器件封装：
36-TFBGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
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