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IS61WV5128BLL-10BI集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS61WV5128BLL-10BI
参数属性	IS61WV5128BLL-10BI 封装/外壳为36-TFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
功能描述	512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
文件大小	586.36 Kbytes
页面数量	26 页
生产厂商	Integrated Silicon Solution Inc
企业简称	ISSI【北京矽成】
中文名称	北京矽成半导体有限公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二
更新时间	2024-9-23 16:59:00

IS61WV5128BLL-10BI规格书详情

IS61WV5128BLL-10BI属于集成电路（IC） > 存储器。北京矽成半导体有限公司制造生产的IS61WV5128BLL-10BI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

产品编号：
IS61WV5128BLL-10BI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
36-TFBGA
供应商器件封装：
36-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

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