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IS61WV5128BLL-10BI

512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

文件:586.36 Kbytes 页数:26 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61WV5128BLL-10BI

Package:36-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV5128BLL-10BI-TR

Package:36-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV5128BLL-10BLI

512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

文件:586.36 Kbytes 页数:26 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61WV5128BLL-10KLI

512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

文件:586.36 Kbytes 页数:26 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61WV5128BLL-10TI

512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

文件:586.36 Kbytes 页数:26 Pages

ISSI

矽成半导体

产品属性

  • 产品编号:

    IS61WV5128BLL-10BI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    36-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    36-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI
24+
SMD
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静态随机存取存储器4M(512Kx8)10nsAsync静态随机存取
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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