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IS61NLP51236-200B3I	文件：277.54 Kbytes Page：35 Pages	256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The18MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby72bits,512Kwordsby36bitsand1Mwo	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61NLP51236-200B3I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：165-TBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61NLP51236-200B3I-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：165-TBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61NLP51236-200B3	文件：277.54 Kbytes Page：35 Pages	256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM DESCRIPTION The18MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby72bits,512Kwordsby36bitsand1Mwo	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61NLP51236-200B3LI	文件：277.54 Kbytes Page：35 Pages	256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM DESCRIPTION The18MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby72bits,512Kwordsby36bitsand1Mwo	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI

产品属性

产品编号：
IS61NLP51236-200B3I
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
18Mb（512K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-TBGA
供应商器件封装：
165-TFBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IS61NLP51236-200B3I供应商更新时间2024-5-14 13:01:00

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