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IS61NVP25636A-200TQI	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61NVP25636A-200TQ	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256Kx36and512Kx189Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI

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IS61NVP25636A-200TQI

文件：261.57 Kbytes

Page：37 Pages

256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM

DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

IS61NVP25636A-200TQ

文件：261.57 Kbytes

Page：37 Pages

256Kx36and512Kx189Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

详细参数

型号：
IS61NVP25636A-200TQI
功能描述：
静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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