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IS61NVP25636A-200TQ	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61NVP25636A-200TQI	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61NVP25636A-200TQLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61NVP25636A-200TQLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

详细参数

型号：
IS61NVP25636A-200TQ
功能描述：
静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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