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IS61DDB21M36

DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM

ISSI

矽成半导体

IS61DDB21M36-250M3

36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs

文件:550.18 Kbytes 页数:25 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61DDB21M36A

Clock stop support

文件:760.91 Kbytes 页数:29 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61DDB21M36A

DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM

·18Mb, 36Mb, and 72Mb densities available\n·x18 and x36 configurations available\n·Burst of 2 or Burst of 4\n·Commercial and Industrial Temperature support\n·333MHz speed for QUAD and DDR-II\n·550MHz speed for QUADP and DDR-IIP\n·ODT and QVLD features for QUADP and DDR-IIP\n·Long-term Support\n

ISSI

矽成半导体

IS61DDB21M36-250M3L

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61DDB21M36-275M3

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PAR 165LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61DDB21M36A-250M3L

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

  • 型号:

    IS61DDB21M36

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 36Mb 1Mbx36 DDR II Sync 静态随机存取存储器

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

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更多IS61DDB21M36供应商 更新时间2025-11-3 16:31:00