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IS61DDB21M36数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

厂商型号 |
IS61DDB21M36 |
参数属性 | IS61DDB21M36 封装/外壳为165-LBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA |
功能描述 | DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM |
封装外壳 | 165-LBGA |
制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution Inc |
中文名称 | 北京矽成 北京矽成半导体有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 18:28:00 |
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技术参数
- 产品编号:
IS61DDB21M36-250M3L
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 同步,DDR II
- 存储容量:
36Mb(1M x 36)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
1.71V ~ 1.89V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
165-LBGA
- 供应商器件封装:
165-LFBGA(13x15)
- 描述:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
13+ |
BGA |
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ISSI |
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