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IS46TR16640CL-125JB2LA2

128MX8, 64MX16 1Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-bit pre-fetch architecture

文件:4.29092 Mbytes 页数:89 Pages

ISSI

矽成半导体

IS485E

DIP-2

SHARPSharp Corporation

夏普

上传:深圳市神舟芯电子科技有限公司

IS61C256AH-20J

PLCC-28

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

IS61C512-15TI

TSOP

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市赛芯源科技有限公司

IS61C64AL-10TLI-TR

TSOPI-28

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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更多IS46TR16640CL-125JB2LA2供应商 更新时间2025-11-28 16:30:00