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IS45S32400B-7TLA1

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

文件:622.27 Kbytes 页数:60 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45S32400B

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

ISSI

矽成半导体

IS45S32400B-6BLA1-TR

Package:90-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400B-6TLA1

Package:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400B-6TLA1-TR

Package:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

  • 型号:

    IS45S32400B

  • 功能描述:

    动态随机存取存储器 128M(4Mx32) 166MHz Automotive Temp

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 数据总线宽度:

    16 bit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 封装/箱体:

    SOJ-42

  • 存储容量:

    16 MB

  • 访问时间:

    50 ns

  • 电源电压-最大:

    7 V

  • 电源电压-最小:

    - 1 V

  • 最大工作电流:

    90 mA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 封装:

    Tube

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更多IS45S32400B供应商 更新时间2025-12-10 16:31:00