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IS45S83200D	文件：1.05062 Mbytes Page：63 Pages	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 文件：1.05062 Mbytes 页数：63 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS45S83200D	文件：300 bytes Page：1 Pages	SDR SDRAM ·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write	ISSI 矽成半导体	ISSI

更多IS45S83200D供应商更新时间2025-12-1 16:06:00